Strain Measurement of 50 nm-MOSFET by Nanobeam Electron Diffraction Using HOLZ Reflection
Strain Measurement of 50 nm-MOSFET by Nanobeam Electron Diffraction Using HOLZ Reflection
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使用 HOLZ 反射通过纳米束电子衍射测量 50 nm-MOSFET 的应变
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Doi;H. Nakahara;K. Saitoh;N. Tanaka
