3次元デバイスシミュレーションを用いた30 nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTN統計分布の浮遊ゲート内電荷量及びトラップ個数依存性解析
3次元デバイスシミュレーションを用いた30 nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTN統計分布の浮遊ゲート内電荷量及びトラップ個数依存性解析
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使用 3D 器件仿真分析 30 nm 代 NAND 闪存中 RTN 统计分布对浮栅电荷量和陷阱数量的依赖性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮地幸祐
中科院分区：
文献类型：
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作者：
富田季宏;宮地幸祐
