Ru Cyclooctatetraene Precursors for MOCVD
Ru Cyclooctatetraene Precursors for MOCVD
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用于 MOCVD 的 Ru 环辛四烯前体
DOI：
10.1039/c1dt11454a
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Seiji.*
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ando;Tatsuya; Nakata;Naoki; Suzuki;Kazuharu; Matsumoto;Takahiro; Ogo;Seiji.*
在MOCVD（金属有机化学气相沉积）应用中，一系列Ru0环四烯配合物具有最佳性能，包括这类材料的两种最低熔点和最低分解温度的组合。该化合物易于处理，可在SiO2表面形成高度适形的Ru薄膜；即使在长宽比为40:1的洞内。SEM， AFM和XPS研究证实了所得到的适形薄膜的接近理想性质。
A series of Ru0 cyclooctatetraene complexes are presented with optimal properties for MOCVD (metal organic chemical vapour deposition) applications, including combinations of the two lowest melting points and lowest decomposition temperatures yet reported for such materials. The compounds are easy to handle and lead to highly conformal thin films of Ru on SiO2 features; even within holes with aspect ratios of 40 : 1. SEM, AFM and XPS studies confirm the near ideal nature of the resulting conformal thin film.