Self-limiting growth of GaAs molecular layer epitaxy using triethyl-gallium (TEG) and AsH3
Self-limiting growth of GaAs molecular layer epitaxy using triethyl-gallium (TEG) and AsH3
复制标题
使用三乙基镓 (TEG) 和 AsH3 自限制生长 GaAs 分子层外延
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)01111-3
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Esashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kurabayashi;K. Kono;H. Kikuchi;J. Nishizawa;M. Esashi
