1-kHz Repetitive Operation of Quenched High-Gain GaAs Photoconductive Semiconductor Switches at 8-nJ Excitation
1-kHz Repetitive Operation of Quenched High-Gain GaAs Photoconductive Semiconductor Switches at 8-nJ Excitation
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淬火高增益 GaAs 光电导半导体开关在 8 nJ 激励下的 1kHz 重复操作
DOI：
10.1109/jstqe.2016.2639822
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发表时间：
2017
影响因子：
4.9
通讯作者：
施卫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
徐鸣;董陈岗;施卫
