Hole trapping characteristics of SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method
Hole trapping characteristics of SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method
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采用恒流载流子注入法的SiCN基电荷捕获存储器的空穴捕获特性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. R. A. Ahmed;S. Tanaka;and K. Kobayashi
