Akira Yamada: "Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Si and SiGe using Si_2H_6 and GeH_4" J.Appl.Phys.69. 1008-1012 (1991)
Akira Yamada: "Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Si and SiGe using Si_2H_6 and GeH_4" J.Appl.Phys.69. 1008-1012 (1991)
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Akira Yamada：“使用 Si_2H_6 和 GeH_4 进行 Si 和 SiGe 的气源分子束外延”J.Appl.Phys.69。
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