Characterization of strained Si wafer surface by density functional theory analysis

Characterization of strained Si wafer surface by density functional theory analysis
复制标题

通过密度泛函理论分析表征应变硅片表面

DOI:
--
复制
发表时间:
2005
期刊:
Electrochim.Acta 51
影响因子:
--
通讯作者:
T.Osaka
T.Osaka
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
K.Sakata;T.Homma;H.Nakai;T.Osaka

文献摘要

相似文献