高品位H: Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン
高品位H: Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン
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高质量H: Si(111) 1×1表面制备方法及表面声子
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須藤彰三
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加藤大樹;田岡琢己;西方督;佐崎元;山田太郎;R. Czajka;A. Wawro;中嶋一雄;粕谷厚生;須藤彰三
