光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測
光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測
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使用光电子产率光谱测量 SiO2/SiC 界面的电子态
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮崎誠一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大田晃生;竹内大智;グェンスァンチュン;牧原克典;宮崎誠一
