Advanced materials design of rare-earth-doped semiconductors by organometallic vapor phase epitaxy (Chapter 21)
Advanced materials design of rare-earth-doped semiconductors by organometallic vapor phase epitaxy (Chapter 21)
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通过有机金属气相外延进行稀土掺杂半导体的先进材料设计（第21章）
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and A. Nishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Fujiwara;Y. Terai;and A. Nishikawa
