Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes

Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes
复制标题

低阈值电流密度1.3μm变质InGaAs/GaAs量子阱激光二极管

DOI:
--
复制
发表时间:
--
影响因子:
1.1
通讯作者:
Wang, H.
Wang, H.
中科院分区:
工程技术4区
文献类型:
--
作者:
Niu, Z.;Han, Q.;Xiong, Y.;Ni, H.;Wu, B.;Wang, P.;Wang, S. M.;Huang, S.;Tangring, I.;Wu, D.;Wang, H.

文献摘要

相似文献