Hisayuki Shimada and Tadahiro Ohmi: "Current Drive Enhancement by Using High-Permittivity Gate Insulator in SOI MOSFET's and ItsLimitation" IEEE Trans.on Electron Devices. 43. 431-435 (1996)
Hisayuki Shimada and Tadahiro Ohmi: "Current Drive Enhancement by Using High-Permittivity Gate Insulator in SOI MOSFET's and ItsLimitation" IEEE Trans.on Electron Devices. 43. 431-435 (1996)
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Hisayuki Shimada 和 Tadahiro Ohmi：“在 SOI MOSFET 中使用高介电常数栅极绝缘体增强电流驱动及其限制”IEEE Trans.on Electron Devices。
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