トンネル磁気抵抗デバイスによる論理集積回路-不揮発性が拓く次世代ロジックLSIパラダイム-
トンネル磁気抵抗デバイスによる論理集積回路-不揮発性が拓く次世代ロジックLSIパラダイム-
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使用隧道磁阻器件的逻辑集成电路 -非易失性开创的下一代逻辑LSI范式-
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
羽生貴弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shoji Ikeda;Jun Hayakawa;Young Min Lee;Fumihiro Matsukura;Yuzo Ohno;Takahiro Hanyu;and Hideo Ohno;羽生貴弘
