超薄膜InN/GaN量子井戸からの誘導放出
超薄膜InN/GaN量子井戸からの誘導放出
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超薄 InN/GaN 量子阱的受激发射
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
崔成伯
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Taishi;Y. Ohno;I. Yonenaga;崔成伯
