Gain tunable all-dielectric metasurfaces incorporating III-V semiconductors

Gain tunable all-dielectric metasurfaces incorporating III-V semiconductors
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DOI：
10.1364/cleo_qels.2018.fth4j.3
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发表时间：
2018-05
期刊：
2018 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)
影响因子：
--
通讯作者：
Hang Li;Ruizhe Yao;J. Ding;Wei Guo;Hualiang Zhang
Hang Li;Ruizhe Yao;J. Ding;Wei Guo;Hualiang Zhang
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
Hang Li;Ruizhe Yao;J. Ding;Wei Guo;Hualiang Zhang

文献摘要

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在这项工作中，我们提出了一个可调的全介质超颖表面的基础上III-V族半导体（InGaAs/GaAs）。通过数值模拟和实验，证明了使用所提出的超颖表面的反射光波的主动振幅调谐。
In this work, we present a tunable all-dielectric metasurface based on III-V semiconductors (InGaAs/GaAs). Active amplitude tuning of reflected optical wave using the proposed metasurface has been demonstrated through both numerical simulation and experiment.