C–SiC–Si gradient films formed on silicon by ion beam assisted deposition at room temperature
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DOI：
10.1016/s0257-8972(00)00604-6
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发表时间：
2000-06
影响因子：
5.4
通讯作者：
K. Volz;M. Kiuchi;M. Okumura;W. Ensinger
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Volz;M. Kiuchi;M. Okumura;W. Ensinger
