Si 基板上(1-101)InGaN ストライプレーザー作製に向けた共振器構造
Si 基板上(1-101)InGaN ストライプレーザー作製に向けた共振器構造
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用于在 Si 衬底上制造 (1-101) InGaN 条形激光器的腔体结构
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
天野浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
久志本真希;本田善央;天野浩
