PHOTOLUMINESCENCE LIFETIMES OF THE IN, T1 AND BI BOUND EXCITONS IN SILICON

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DOI:
10.1016/0038-1098(84)91044-5
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发表时间:
1984-01-01
影响因子:
2.1
通讯作者:
THEWALT, MLW
THEWALT, MLW
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
--
作者:
STEINER, T;THEWALT, MLW

文献摘要

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