Low-Dark-Current Large-Area Narrow-Band Photodetector Using InGaN/GaN Layers on Sapphire
Low-Dark-Current Large-Area Narrow-Band Photodetector Using InGaN/GaN Layers on Sapphire
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使用蓝宝石上 InGaN/GaN 层的低暗电流大面积窄带光电探测器
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jun OHSAWA 他4名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takayama;T.Harada;T.Fujita;K.Maenaka;高山洋一郎;Jun OHSAWA 他3名;Jun OHSAWA 他3名;Jun OHSAWA 他3名;Jun OHSAWA et al.;Jun OHSAWA et al.;Jun OHSAWA et al.;Jun OHSAWA 他4名;Jun OHSAWA 他4名;Jun OHSAWA 他4名
