T.Arai: "First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance"Japanese Journal of Applied Physics. 39・6A. L503-L505 (2000)
T.Arai: "First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance"Japanese Journal of Applied Physics. 39・6A. L503-L505 (2000)
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T.Arai：“GaInAs/InP 埋置金属异质结双极晶体管的首次制造和基极集电极电容的减小”日本应用物理学杂志 39・6A（2000 年）。
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