シリケイン及びゲルマナンをチャネルとするCMOSトランジスタのバリスティック性能解析
シリケイン及びゲルマナンをチャネルとするCMOSトランジスタのバリスティック性能解析
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具有硅和德国沟道的 CMOS 晶体管的弹道性能分析
DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
岡直左,土屋英昭,小川真人
中科院分区:
文献类型:
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作者:
兼古志郎;岡直左,土屋英昭,小川真人