平面型TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察
平面型TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察
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平面 TiO2-x 忆阻器元件电阻变化区域的原位 TEM 观察
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
谷口奈穂;藤平哲也;林侑介;酒井朗
