微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析
微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析
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微分负阻区偏置谐振隧道二极管张弛振荡抑制条件的理论分析
DOI:
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发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
須原理彦
中科院分区:
文献类型:
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作者:
板垣陽介;斉藤光史;須原理彦