選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響
選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響
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选择性干法刻蚀对p型GaN栅极AlGaN/GaNGaNGaN高电子迁移率晶体管特性的影响
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岩田直高
中科院分区：
文献类型：
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作者：
近藤孝明;赤澤良彦;岩田直高
