Error Suppression of Last-Programmed Word-Line for Real Usage of 3D-NAND Flash Memory
Error Suppression of Last-Programmed Word-Line for Real Usage of 3D-NAND Flash Memory
复制标题
最后编程字线的错误抑制以实现 3D-NAND 闪存的实际使用
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Daiki Kojima and Ken Takeuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daiki Kojima and Ken Takeuchi
