Variation in time of charged and neutral excitons photoluminescence intensities in photo-irradiated GaAs quantum well
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光照射GaAs量子阱中带电和中性激子光致发光强度随时间的变化
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Delbecq
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.;Nomura;K. Matsuda;M. Yamaguchi;S. Nomura;S. Nomnura;M. Yamaguchi;S. Nomura;K.Matsuda;M.Yamaguchi;S.Nomura;S.Nomura;M.Yamaguchi;S.Nomura;S. Nomura;M. Yamaguchi;T. Akazaki;M. Yamaguchi;T. Itoh;M. Delbecq
