常温ウェハ接合によるGep+-i接合素子の運赤外線感度特性の評価
常温ウェハ接合によるGep+-i接合素子の運赤外線感度特性の評価
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通过室温晶圆键合评估 Gep+-i 键合器件的红外灵敏度特性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
桐山雄一;他
