Carrier compensation near tail region in aluminum- or boron-implanted 4H-SiC(0001)
Carrier compensation near tail region in aluminum- or boron-implanted 4H-SiC(0001)
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铝或硼注入 4H-SiC(0001) 中尾部附近的载流子补偿
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kimoto他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Matsui;H. Tabata;T.Kimoto他
