Decrease of the Threshold for Raman Silicon Nanocavity Laser by Increasing Q factors
Decrease of the Threshold for Raman Silicon Nanocavity Laser by Increasing Q factors
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通过增加 Q 因子降低拉曼硅纳米腔激光器的阈值
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Taro Kawakatsu and Yasushi Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川勝 太郎;浅野 卓;野田 進;高橋 和;安田 孝正，岡野 誠，大塚 実，関 三好，横山 信幸，高橋 和;Yasushi Takahashi;Takamasa Yasuda and Yasushi Takahashi;Taro Kawakatsu and Yasushi Takahashi
