InGaAs/InAlAs FACQWの製造誤差におけるトレランスの解析
InGaAs/InAlAs FACQWの製造誤差におけるトレランスの解析
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InGaAs/InAlAs FACQW制造误差容限分析
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
澤井泰
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C-Y. Wan;K. Azumi;and H. Konno;澤井泰
