Junichi Murota: "Si/Si_<1-X>Ge_X/Si heterostructure growth by ultraclean low-temperature LPCVD for the fabrication of novel devices" Journal de Physique IV. 3. C3-403-C3-410 (1993)
Junichi Murota: "Si/Si_<1-X>Ge_X/Si heterostructure growth by ultraclean low-temperature LPCVD for the fabrication of novel devices" Journal de Physique IV. 3. C3-403-C3-410 (1993)
复制标题
Junichi Murota:“通过超净低温 LPCVD 生长 Si/Si_<1-X>Ge_X/Si 异质结构,用于制造新型器件”Journal de Physique IV。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: