O在Si(001)生长初始阶段氧化通道与表面电子分布的关系
O在Si(001)生长初始阶段氧化通道与表面电子分布的关系
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DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
4
通讯作者：
J. G. Che车静光
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Han韩晗;J. G. Che车静光
