Carrier capture dynamics of InAs∕GaAs quantum dots

Carrier capture dynamics of InAs∕GaAs quantum dots
复制标题

DOI：
10.1063/1.2715115
复制
发表时间：
2007-03
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
通讯作者：
T. Piwoński;I. O'Driscoll;J. Houlihan;G. Huyet;R. Manning;A. Uskov
T. Piwoński;I. O'Driscoll;J. Houlihan;G. Huyet;R. Manning;A. Uskov
中科院分区：
物理与天体物理2区
文献类型：
--
作者：
T. Piwoński;I. O'Driscoll;J. Houlihan;G. Huyet;R. Manning;A. Uskov

文献摘要

被引文献

相似文献

用外差泵浦-探测光谱法研究了1.3μ mInAs ScinGaAs量子点放大器的载流子动力学。恢复时间与注入电流的测量揭示了量子点速率方程模型预测的幂律行为。这些结果表明，俄歇过程占主导地位的载流子动力学。
Carrier dynamics of a 1.3μm InAs∕GaAs quantum dot amplifier is studied using heterodyne pump-probe spectroscopy. Measurements of the recovery times versus injection current reveal a power law behavior predicted by a quantum dot rate equation model. These results indicate that Auger processes dominate the carrier dynamics.