ZnO Thin Film Transistors for Flexible Electronics
ZnO Thin Film Transistors for Flexible Electronics
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用于柔性电子产品的 ZnO 薄膜晶体管
DOI：
10.1557/proc-769-h7.2
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Nunes
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Carcia;R. S. Mclean;M. Reilly;I. Malajovich;K. G. Sharp;S. Agrawal;G. Nunes
在柔性电子产品中，塑料衬底可以将加工温度限制在100°c以下。因此，大多数半导体，包括非晶硅，可能与温度敏感的塑料衬底不相容。虽然有机半导体似乎非常适合这一特定的应用领域，但它们的稳定性值得怀疑，而且它们的迁移率通常很低（~ 0.1 cm 2 /V-s）。在本文中，我们表明ZnO是一种很有前途的柔性电子半导体候选者，因为薄膜晶体管可以在室温下制造，具有更高的迁移率（> 1 cm 2 /V-s）和高开/关比（> 104）。
In flexible electronics, plastic substrates can limit processing temperatures to less than 100° C. Consequently, most semiconductors, including amorphous silicon, may be incompatible with temperature-sensitive plastic substrates. While organic semiconductors may seem well suited to this particular application niche, their stability is questionable and their mobility is often low (∼0.1 cm 2 /V-s). In this paper we show that ZnO is a promising semiconductor candidate for flexible electronics, because thin film transistors can be fabricated at room temperature with higher mobility (> 1 cm 2 /V-s) and high on/off ratio (> 104).