Mobility Degradation in (110)-Oriented Ultra-thin Body Double-Gate pMOSFETs with SOI Thickness of less than 5nm
Mobility Degradation in (110)-Oriented Ultra-thin Body Double-Gate pMOSFETs with SOI Thickness of less than 5nm
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SOI 厚度小于 5nm 的 (110) 取向超薄体双栅极 pMOSFET 中的迁移率下降
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ken Shimizu;Toshiro Hiramoto
