Dislocation activities in Si under high-magnetic-field

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高磁场下硅的位错活动

DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
Proceedings of 4th International Conference on Fundamental Properties of Dislocations
影响因子：
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通讯作者：
Y. Tokumoto and K. Kutsukake
Y. Tokumoto and K. Kutsukake
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
I. Yonenaga;Y. Ohno;Y. Tokumoto and K. Kutsukake

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