SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大
SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大
复制标题
SiO2 薄膜缺陷附近局部介电常数异常增大
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
名取晃子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
涌井貞一;中村淳;名取晃子
