A gate leakage current-powered loadless 4T SRAM with immunity against random dopant fluctuation and surface roughness in silicon-silicon dioxide interface
A gate leakage current-powered loadless 4T SRAM with immunity against random dopant fluctuation and surface roughness in silicon-silicon dioxide interface
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一种栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，具有抗硅-二氧化硅界面随机掺杂波动和表面粗糙度的能力
DOI：
10.35848/1347-4065/aca33b
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takashi OHSAWA
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yihan ZHU;Takashi OHSAWA
