High Performance Resonant Tunneling Diode Oscillators for THz Applications
High Performance Resonant Tunneling Diode Oscillators for THz Applications
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适用于太赫兹应用的高性能谐振隧道二极管振荡器
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. Wasige
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jue Wang;K. Alharbi;A. Ofiare;Haiping Zhou;A. Khalid;D. Cumming;E. Wasige
介绍了一种高性能的单片微波集成电路（MMIC）谐振隧道二极管（RTD）振荡器，该振荡器具有高频率、高功率的特点。电路拓扑采用两个并联的In0.53Ga0.47As/AlAs rtd，每个器件单独偏置。这些振荡器工作频率分别为125GHz、156GHz和166 GHz，输出功率分别为0.34 mW、0.24 mW和0.17 mW。这是d波段（110 GHz-170 GHz）频率范围内RTD振荡器的最高功率。对RTD振荡器的相位噪声进行了表征和报道。本工作演示了基于电路的RTD振荡器设计方法，以提高毫米波下RTD振荡器的输出功率。
This paper presents monolithic microwave integrated circuit (MMIC) resonant tunneling diode (RTD) oscillator with high performance: high power at high frequencies. The circuit topology employs two In0.53Ga0.47As/AlAs RTDs in parallel and each device is biased individually. These oscillators operate at 125GHz, 156GHz and 166 GHz with output power 0.34 mW, 0.24 mW and 0.17 mW respectively. These are highest power reported for RTD oscillators in D-band (110 GHz-170 GHz) frequency range. The phase noise of the RTD oscillators was characterized and is reported. This work demonstrates the circuit-based RTD oscillator design approach to increase the output power of RTD oscillators at millimeter-waves.
具有毫瓦输出功率的 W 波段 InP 谐振隧道二极管振荡器
DOI：
10.1109/iciprm.2014.6880531
发表时间：
2014
期刊：
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影响因子：
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作者：
Jue Wang
通讯作者：
Jue Wang