M.Ishida: "Difference of Si selective growth on Al_2O_3 and SiO_2 substrates by electron beam irradiation method" Proc.Of the Int.Workshop on Mesoscopic Physics and Electronics(MPE95)in Tokyo,1995. (1995)
M.Ishida: "Difference of Si selective growth on Al_2O_3 and SiO_2 substrates by electron beam irradiation method" Proc.Of the Int.Workshop on Mesoscopic Physics and Electronics(MPE95)in Tokyo,1995. (1995)
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M.Ishida：“电子束辐照法在 Al_2O_3 和 SiO_2 衬底上选择性生长 Si 的差异”Proc.Of the Int.Workshop on Mesooptics and Electronics(MPE95)，东京，1995。
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