3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)
3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)
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3 kV 常断 4H-SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Takatsuka,Y.Tanaka,K.Yano,N.Matsumoto,T.Yatsuo,and K.Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加藤雅大;飴井賢治;大路貴久;作井正昭;A. Takatsuka,Y.Tanaka,K.Yano,N.Matsumoto,T.Yatsuo,and K.Arai
