Characterization of Fe-doping Induced Trap in AlGaN/GaN HEMTs using Low Frequency Y22 Measurement
Characterization of Fe-doping Induced Trap in AlGaN/GaN HEMTs using Low Frequency Y22 Measurement
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使用低频 Y22 测量表征 AlGaN/GaN HEMT 中的 Fe 掺杂诱导陷阱
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Yamanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Nishida;T. Oishi;T. Otsuka;Y. Yamaguchi;M. Tsuru;K. Yamanaka
