MBE法によるGaN/ScNヘテロ構造の作製
MBE法によるGaN/ScNヘテロ構造の作製
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MBE法制备GaN/ScN异质结构
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大垣 武・坂口 勲・大橋 直樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
横山喬亮;重田出;野村明子;湯葢邦夫;山内徹;鹿又武;梅津理恵;廣井政彦;大垣 武・坂口 勲・大橋 直樹
