K.Sawano, Y.Hirose, Y.Ozawa, S.Koh, J.Yamanaka, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shirki: "Enhancement of strain relaxation of SiGe thin layers by pre-ion-implantation into Si substrates"JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 42. L735-L737 (2003)
K.Sawano, Y.Hirose, Y.Ozawa, S.Koh, J.Yamanaka, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shirki: "Enhancement of strain relaxation of SiGe thin layers by pre-ion-implantation into Si substrates"JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 42. L735-L737 (2003)
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K.Sawano、Y.Hirose、Y.Ozawa、S.Koh、J.Yamanaka、K.Nakakawa、T.Hattori、Y.Shirki：“通过预离子注入硅衬底增强 SiGe 薄层的应变弛豫
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