Detection and Characterization of Single MOS Interface Traps by the Charge Pumping Method
Detection and Characterization of Single MOS Interface Traps by the Charge Pumping Method
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通过电荷泵方法检测和表征单 MOS 接口陷阱
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiaki Tsuchiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Furuki;M. Ota;R. Watanabe;Y. Ishii;M. Fukuda;石川徹，根来翼，大島大輝，加藤剛志，岩田聡;冨士田誠之;土屋敏章，P. M. レナハン;住村あさひ，中山昂太郎，太田雅，福原誠史，石井佑弥，福田光男;大島大輝，加藤剛志，岩田聡;堀 匡寛，成松諒一，土屋敏章，小野行徳;太田雅，住村あさひ，福原誠史，伊藤基，石井佑弥，福田光男;冨士田誠之;董夏茵，大島大輝，加藤剛志，園部義明，岩田聡;Toshiaki Tsuchiya
