Computational study of phase engineered transition metal dichalcogenides heterostructures
Computational study of phase engineered transition metal dichalcogenides heterostructures
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相工程过渡金属二硫属化物异质结构的计算研究
DOI：
10.1016/j.commatsci.2017.10.014
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发表时间：
2018-02
影响因子：
3.3
通讯作者：
Quhe Ruge
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ma Jiachen;Zhang Qiaoxuan;Yang Jie;Feng Shenyan;Lei Ming;Quhe Ruge
由不同结构相的过渡金属二硫属化物组成的货车德瓦耳斯异质结构有望优化二维晶体管的电接触。虽然大多数理论研究都集中在“更稳定”的1 T ′或Td相上，但实验表明，亚稳的1 T相也可以与2 H相形成异质结构。然而，这些相位工程化的货车德瓦耳斯异质结构的内在性质尚不清楚。通过第一性原理计算，我们研究了由半导体2 H和金属1 T相组成的MX2（M = Mo，W; X = S，Se，Te）异质结构的结构和电子性质.在检查的异质结构中，非常少量的电子从1 T转移到2 H相，使得2 H相未掺杂或仅轻微N掺杂。肖特基势垒（0.39-0.94 eV）的存在在自支撑的2 H/1 T MX2异质结中很常见。此外，检查异质结构中的零隧道势垒高度对于实现高电荷注入速率是有利的。
Van der Waals heterostructures composed of the same transition metal dichalcogenide with different structural phases are promising for optimizing the electrical contacts in two-dimensional transistors. While most theoretical studies are focused on the “more stable” 1T′ or Tdphase, experiments show that the metastable 1T phase can also form heterostructure with the 2H phase. However, the intrinsic properties of these phase engineered van der Waals heterostructures are not clear. By first–principles calculations, we investigate the structural and electronic properties of the MX2(M = Mo, W; X = S, Se, Te) heterostructures composed by the semiconducting 2H and metallic 1T phases. A very small amount of electron transfers from 1T to 2H phases in the checked heterostructures, rendering the 2H phase undoped or only slightly N–doped. The existence of the Schottky barriers (0.39–0.94 eV) is found common in the free-standing 2H/1T MX2heterostructures. In addition, the zero tunnel barrier heights in the checked heterostructures are advantageous for achieving high charge injection rate.
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DOI：
10.1038/s43586-022-00151-5
发表时间：
2014-03
期刊：
Nature Reviews Methods Primers
影响因子：
--
作者：
R. Gorbachev
通讯作者：
R. Gorbachev
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
3.7
作者：
B. Ouyang;Z. Mi;Jun Song
通讯作者：
B. Ouyang;Z. Mi;Jun Song
影响因子：
38.3
作者：
Acerce, Muharrem;Voiry, Damien;Chhowalla, Manish
通讯作者：
Chhowalla, Manish
影响因子：
38.3
作者：
Hong, Xiaoping;Kim, Jonghwan;Wang, Feng
通讯作者：
Wang, Feng