Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices
Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices
复制标题
用于先进 GaN 基 MOS 器件的栅极堆叠技术
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Shimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Watanabe;T. Hosoi;M. Nozaki;H. Mizobata;and T. Shimura
