低温STMによるInAs p-n接合の空乏層解析
低温STMによるInAs p-n接合の空乏層解析
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低温 STM 分析 InAs p-n 结的耗尽层
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
蟹澤 聖
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鈴木 恭一;小野満 恒二;蟹澤 聖
