Three Dimensional Floating Gate Memory with Multi-layered Nanodot Array
Three Dimensional Floating Gate Memory with Multi-layered Nanodot Array
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具有多层纳米点阵列的三维浮栅存储器
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kosuke Ohara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小原孝介;鄭彬;上沼睦典;石河泰明;山下一郎;浦岡行治;Kosuke Ohara;Kosuke Ohara
